技术编号:8544979
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着电子设备的广泛应用,半导体制造工艺得到了飞速发展。在半导体制造工艺过程中,经常需要进行掺杂工艺以形成P型区或N型区。掺杂主要有热扩散和离子注入这两种方法。热扩散工艺是在一定温度条件下,先在衬底表面先预淀积一层掺杂剂,接着是推进氧化工艺,在高温条件下,杂质原子向衬底扩散推进,从而形成高浓度的掺杂区。热扩散工艺在形成高浓度的掺杂区的工艺中有明显优势。但是,在制备N型掺杂区工艺中,预淀积与氧化推进工艺中在相同条件下同时完成的,预淀积的同时在表面也会被氧化,形...
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