技术编号：8544984
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。对于微波毫米波场效应管，提升其频率特性的主要手段之一是减小器件栅长以减小沟道电子渡越时间；国内外小栅长GaAs、InP HMET/PHEMT器件的开发已经达到小于10nm的水平。对于如此小的栅长，大大增加的栅电阻又成为制约器件性能的重要因素；为了解决小栅长器件栅电阻大的问题，小栅长器件普遍采用T型栅、Y型栅或者蘑菇栅的方案。T型栅、Y型栅、蘑菇栅虽然克服了小栅长器件栅电阻大的问题，但仍称不上是一种完美的小栅长栅方案，因为其大尺寸的栅帽引入的寄生电容带来器件...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。