技术编号:8544988
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在平面型VDMOS (垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件中,常规制作工艺是在硅衬底102上生长外延层104,并在外延层104表面生长氧化层106,在氧化层106上生长多晶硅层108,对多晶硅层108的预定区域进行刻蚀,得到多晶硅窗口。在刻蚀出的多晶硅窗口中,利用自对准方式进行P型体区的光刻(如图1A所示)、注入掺杂离子(如图1B所示)、再驱入(如图1C所示),从而形成沟道(如图1C中的112),从沟道112的形成过程可以看出,沟道的长度仅仅由驱入...
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