技术编号：8544993
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路制造技术的不断进步，当前金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的技术结点已进入到14nm阶段，器件物理栅长已经小于20nm，器件结构也逐渐从平面结构发展到硅纳米线的三维结构。伴随着器件尺寸的持续缩小，其面临的挑战也越来越大，因此基于新原理的纳米电子器件成为研宄的热点。在普通的反型模式晶体管中，沟道区与源漏区的掺杂类型不同，有pn结的形成。随着器件尺寸缩小，当器件栅长小到1nm量级时，要在沟道两端几个纳米内实现掺杂浓度以及掺杂类型的突变...
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