技术编号:8545179
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体,具体而言涉及。背景技术 在半导体中,为应对器件尺寸减小带来的挑战,需要采用金属栅极替代 传统的多晶硅栅极。使用金属栅极可以消除多晶硅栅极的耗减问题,大幅减小器件的阈值 电压。通常,高k金属栅极工艺主要包括三种方式先高k先金属栅极技术,先高k后金属 栅极技术和后高k后金属栅极技术。当CMOS器件的制造工艺发展到20nm以及以下工艺节 点,将主要采用后高k后金属栅极技术。 随着CMOS器件尺寸的减小,为满足对器件性能的要求,等效氧化层厚度(...
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