技术编号：8545199
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于功率晶体管管芯的一些高频阻抗匹配拓补在输出信号路径中需要串联电容，该串联电容优选具有电容的高品质因数(Q)。常规设计将串联电容器部件集成在芯片上，伴随有显著损耗和寄生元件，或者在输出信号路径中在管芯的外部添加分立的串联电容器部件，除了增加成本和降低可靠性之外也伴随有损耗和寄生元件。因此期望更高质量和更节省成本的、既鲁棒又有效的串联电容解决方案。发明内容根据功率晶体管管芯的实施例，该管芯包括形成在半导体本体中的晶体管，该晶体管包括栅极端子、输出端子和第三...
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