技术编号:8545267
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。以往,已知一种利用金刚石半导体形成pn结二极管的技术(参照非专利文献I)。在金刚石半导体中,传导杂质的能级位于比与动作温度相对应的热激发能更深的位置处。具体地说,能级最浅的受主(acceptor)和施主(donor)分别是B (硼)和P (磷),但是B和P的能级分别是0.37eV和0.6eV,比标准状态的热激发能0.026eV大I位以上。因此,在金刚石半导体中无法得到较高的载流子密度,从而电阻值变得非常大,因此很难使高密度的电流流过由金刚石半导体形成的pn...
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