技术编号:8545287
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明有关于一种太阳能电池及其制程方法,特别有关于一种具钝化层的太阳能 电池及其制程方法。背景技术 垂直多接面(Verticalmulti-junction,VMJ)的太阳能电池允许其输出电压高过 传统的单接面太阳能电池的输出电压。特别是,该垂直多接面电池可以在高聚光强度下运 作。然而,载子复合(carrierrecombination)的机率是现在该垂直多接面电池的挑战,因 为该多接面的太阳能电池的光入射表面容易发生载子复合的情形,而导致光电转换效率不...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。