技术编号：8545350
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 相变存储器（PCRAM)具有循环寿命长、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、和 制造工艺简单等优点，尤其器件尺寸可以缩小到l〇nm技术节点以下，这是其他存储技术无 可比拟的。PCRAM被国际半导体工业协会认为最有可能取代Flash而成为未来存储器主流 产品，具有广阔的市场前景。 相变存储器的基本原理是利用电脉冲或光脉冲产生的焦耳热，使相变存储材料在 非晶态与晶态之间产生可逆转变，利用材料在高电阻值的非晶态和低电阻值的晶态之间的 电阻差异来实现数据存储，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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