技术编号：8548219
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体设备制造过程当中，需要在基板上以均匀的温度执行热处理。该制造过程的示例可以包括化学气相沉积以及硅外延生长处理，其中在反应器内承座上放置的半导体基板上沉积具有气态的材料层。该承座通常以电阻、高频以及红外线加热等方式，加热到大约400°C至大约1，250°C的高温。在此状态下，气体经过化学反应同时通过该反应器，导致该气相状态沉积在非常靠近基板表面的位置上。而由于此反应，可在该基板上沉积所要的生成物。半导体设备包括硅基板上的多个层，这些层通过沉积处理沉积...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。