技术编号:8548226
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。外延是广泛用于半导体处理以在半导体基板上形成很薄的材料层的处理过程。这些层常常界定半导体器件的一些最小特征,且若需要结晶材料的电学性质,则这些层可具有高品质的晶体结构。通常提供沉积前驱物至处理腔室,基板设置于处理腔室中,基板被加热到益于具有所需性质的材料层生长的温度。通常需要膜具有高度均匀的厚度、成分及结构。由于局部基板温度、气体流动以及前驱物浓度的变化,所以形成具有均匀和可重复性质的膜相当有挑战性。处理腔室一般是能维持高度真空(通常低于10托)的容器,且...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。