技术编号:8548229
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及为了评价硅基板制造工艺或装置制造工艺中的金属污染或结晶缺陷,而以高精度来测定硅基板的再结合寿命的方法。背景技术作为评价硅基板制造工艺或装置制造工艺中的金属污染的方法,广泛使用利用微波光导电衰减法(μ-P⑶法)的再结合寿命的测定。就此μ-P⑶法而言,首先照射比硅单晶的能带隙更大的能量的光脉冲,在晶圆中使过剩载流子产生。通过产生的过剩载流子来增加晶圆的导电率,但之后随时间经过,过剩载流子会通过再结合而消灭,由此导电率会减少。以此变化作为反射微波功率的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。