技术编号:8548238
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在日本专利公开公报2012-43890号中,公开了一种IGBT (Insulated GateBipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)区域与二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置。在半导体基板的表面上设置有表面电极,在半导体基板的背面上设置有背面电极。IGBT区域具备第一导电型的集电层,其与背面电极相接;第二导电型的IGBT漂移层,其相对于集电层而被设置于半导体基板的表面侧;第一导电型的体层,其相对于IGBT漂移层而被设置于半导体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。