技术编号：8552724
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种。背景技术 利用化学气相沉积法（chemical vapor deposition,CVD)生长纳米结构取决于基 底的材料及形状，例如，横向单壁碳纳米管（single-walled carbon nanotubes，SWCNTs)需 要在石英基底上生长，大面积的石墨烯需要在铜箔上生长。然而，利用所述纳米结构制作电 子设备时常常需要将该纳米结构设置于硅片或柔性基底上。因此，业界发展了纳米结构的 转移技术，以便将所述纳米结构从生长基底上转移到目...
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