SiC材料表面封装剂/修补剂及表面封装方法/修补方法技术资料下载

技术编号:8553183

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化学气相沉积方法主要工艺流程如下将纤维预制体放入温度均一且无明显强制气体流动的反应室内,气态先驱体按一定比例进入反应炉并主要通过扩散作用渗入到多孔纤维预制体内,在纤维表面发生化学反应并原位沉积;在生成SiC固体产物的同时放出气体副产物,副产物从反应壁面上解附并借助于扩散传质进入主气流,随后排出沉积炉,完成气相沉积过程。在CVI过程中,采用的反应物气体为CH3SiCl3 (MTS),在沉积过程中,反应炉内生成的中间产物繁多,沉积条件的细小变化往往会导致沉积产...
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