技术编号:8554760
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及红外探测器和电子材料,具体涉及一种高电阻温度系数氧化 钒热敏薄膜材料及其制备方法。背景技术 由于氧化钒薄膜具有(a)高电阻温度系数、(b)低噪声、(C)良好的微机电系统 (以下简称"MEMS")工艺兼容性和(d)集成电路工艺兼容性等优点,其被广泛用作高性能 非制冷焦平面阵列的热敏材料。根据非制冷焦平面阵列器件的噪声理论,氧化钒热敏薄膜 的电阻温度系数(TCR)、噪声系数是影响器件灵敏度的重要因素。氧化钒热敏薄膜的ItcrI 越高(半导体材料的T...
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