技术编号：85589
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种制造具有以铜作为互连层主要材料的互连结构的半导体器件的方法，以及一种制造具有以铜作为互连层主要材料的互连结构的磁头的方法。 背景技术随着半导体器件的集成规模加大和集成度增高，互连的设计规则一代代减少。通常，通过沉积互连材料且利用光刻和干蚀刻将沉积的互连材料图案化来形成互连层，但是随着更新换代，此工艺在技术上开始出现局限性。作为一种替代传统互连形成工艺的新的形成互连层的工艺，即所谓的镶嵌工艺(damascene process)正在使用，该工艺在层间绝缘膜中间形成沟槽图案和孔图案并且在沟槽和孔中...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。