技术编号：8563696
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。普通沟槽MOSFET的沟槽工艺是在沟槽刻蚀之后就直接生长一层牺牲氧化层，减少栅氧的缺陷。普通的沟槽MOSFET沟槽工艺方法如图1A和图1B所示一、在保护环工艺后先淀积一层介质氧化层做阻挡层；二、再在氧化层上涂胶，利用沟槽掩膜版曝光显影；三、待打开刻蚀区后利用氧化硅和硅的刻蚀率不同做异向刻蚀；四、待沟槽刻蚀完成后，去掉表面的涂胶和阻挡层；五、通过氧化工艺生产一层氧化层(牺牲氧化)，再酸洗消除沟槽缺陷；六、氧化形成栅氧。沟槽MOSFET的源-漏导通电阻由以下五...
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