技术编号:8563701
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,传统的晶体硅太阳电池的正面电极由若干条主栅和若干条细栅相互垂直构成,这种正面电极的细栅为准矩形结构,一方面影响太阳电池的有效光照面积,且金属半导体接触区域较大,制约太阳电池的转换效率,另一方面银浆使用量较大,制约太阳电池的制造成本。发明内容本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构,它能够在保证避免输运电子的情况下,有效降低金属化面积,降低金属化区域的复合电流,从而有效地提升电池的开路电压,提高太阳电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。