技术编号：8574595
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。所谓磁控溅射，就是除在靶上施加一个电场外(电力线垂直于靶表面)，再造一个磁场，要求平行于靶表面的磁感应强度分量在30?50毫特斯拉，在这种条件下形成的辉光放电，被磁场约束在靠近靶面的等离子体区域内，电子受洛仑兹力的影响，作摆线和螺旋线状的复合运动，路径大大延长，放电的等离子体密度大大提高，随之正离子的数量也大大增加，形成一个等离子体区域，因而，溅射产量加大，提高了镀膜的生产效率。目前现有的磁控溅射圆柱靶，安装结构复杂，靶材利用率低，且靶材上与每个环形永磁铁...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。