技术编号:8579470
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有技术的检测器中,由高电压而被吸引至闪烁体附近的二次电子的一部分会被环状电极吸收。因此,闪烁体的二次电子的检测量会减少,无法获得充分的信号杂讯比。发明内容本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术缺陷,提供一种二次电子检测器。为解决上述技术问题采用的技术方案是一种二次电子检测器,包括闪烁体,吸收二次电子并转换为光;导光体与闪烁体连接;以及光电转换装置,将闪烁体导出的光转换为电子后放大,且闪烁体包括基板,配置于上述导光体上;导电膜设置于基板上,发光膜设置于导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。