技术编号：8581736
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。离子束刻蚀是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特点，并且可以对绝大部分材料进行刻蚀，例如金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料。目前现有的离子源阳极基本均为板状结构，由于阳极中心与放电室距离增大，造成放电室内电场不均匀，放电室出口边缘位置电场较弱，最终影响放电室内的放电均匀性，从而造成...
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