技术编号:8581838
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。SOI NMOS器件由于采用介质隔离,消除了闩锁效应,并且其独特的绝缘埋层结构,在很大程度上减少了器件的寄生效应,大大提高了电路的性能,具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小等优势,被广泛应用于低压低功耗、高速、抗辐照、耐高温等领域。常规SOI NMOS器件的结构为绝缘衬底、埋层、顶层单晶硅层的三明治结构,制作器件时在顶层单晶硅层形成器件的源,漏,沟道区等结构。该SOI NMOS器件正常工作时,源漏导通形成的沟道只在P型沟道区的顶层正表...
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