技术编号：8608026
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，传统的砷化镓多结太阳电池因其转换效率明显高于晶硅电池而被广泛地应用于聚光光伏发电(CPV)系统和空间电源系统。砷化镓多结电池的主流结构是由GalnP, GaInAs和Ge子电池组成的GalnP/GalnAs/Ge三结太阳电池，电池结构上整体保持晶格匹配，带隙结构为1.85/1.40/0.67eV。然而，对于太阳光光谱，由于GaInAs子电池和Ge子电池之间较大的带隙差距，这种三结电池的带隙组合并不是最佳的，这种结构下Ge底电池吸收的太阳光谱能量比中电...
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