技术编号：8624808
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，光伏企业湿法刻蚀设备在硅片进入主体设备进行刻蚀前，普遍采用喷洒纯水水膜保护硅片的扩散表面后进入刻蚀槽，在刻蚀槽通过转动的滚轮将药液带起，进而达到去除太阳能电池片边缘的N型硅的目的。然而，在实际的水膜铺展过程中，由于生产过程中不同硅片间的时间差异性、工艺差异性等导致镀水膜的效果存在差异，往往存在以下两种情形(I)水膜覆盖在硅片上表面，但由于S12的亲水性问题，部分亲水性差的硅片上的水膜会从扩散面滑落而导致硅片裸露，这样，刻蚀设备槽内的酸液以及酸雾就会腐...
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