技术编号:8624849
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。以功率MOSFET中最常见的VDMOS为例,一般的情况下第一分压环上面的金属采用空悬的方法设计,这样只能使用金属势皇的作用减小第一分压环下的电场集中效应,作用不明显。因此,在现有技术中,如果欲提高VDMOS器件的击穿电压,需要设置多个分压环,从而加强内电场以抵消外电场,这样不仅浪费了芯片的面积,降低了器件的电流密度,而且在芯片外端的分压环有可能起不到缓解外电场以提高击穿电压的作用,继而器件就会被击穿。实用新型内容鉴于现有技术中存在的问题,本实用新型提供一种...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。