技术编号：8640417
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体制造技术中，金属硅化物由于具有较低的电阻率且和其他材料具有很好的粘合性而被广泛应用于源/漏接触和栅极接触来降低接触电阻。高熔点的金属与硅发生反应生成金属硅化物，通过一步或者多步退火工艺可以形成低电阻率的金属硅化物。随着半导体集成电路的集成度不断提高，半导体工艺水平的提高，半导体器件的特征尺寸不断缩小，特别是在90nm及其以下技术节点，金属硅化物也在不断地发展，为了获得更低的接触电阻，镍及镍的合金成为形成金属硅化物的主要材料。金属硅化物通常制备在源漏...
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