技术编号:8677149
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。电子学、光学等现代技术应用申所需要的单晶材料,大部分是用熔体生长法制备的。某些碱金属和碱土金属的卤族化合物等,许多晶体早已进入不同规模的工业化生产。晶体生长中退火过程是一个相当重要的制程,因为退火制程关系到晶体内应力的释放及内部微观缺陷的改善,所使用的高温烧结炉由于对炉体内的饿温度控制不稳定,容易造成晶体质量不佳,由于晶体的成本较高,从而导致重大浪费。实用新型内容本实用新型主要解决的技术问题是提供一种环形预热式气体烧结炉,适用于晶体的烧结及退火,气体管道环...
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