技术编号：8708989
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在SiC晶体制备领域中，最为成熟的生长方法是物理气相传输法(PVT)。晶体在具有一定轴向和径向温度梯度的热场内生长，这会在晶体内部造成极大的残余热应力。由于SiC晶体硬度极大，材料本身释放应力能力小，所以生长出的晶体会在自身应力作用下碎裂，特别在生长直径4英寸以上晶体时，晶体在冷却或后续加工过程碎裂几率较高。具体来看，晶体生长环境中，仅环绕坩祸进行加热，沿坩祸外壁保温较好，晶体上方保温幅度弱于坩祸外壁。因此，沿径向热场顶部(晶体生长)晶体中心温度低于边缘温...
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