技术编号：8715838
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着技术的发展，半导体存储器，如闪存(FLASH)、静态随机存储器(SRAM)及动态随机存储器(DRAM)等，正逐步面临其在更先进工艺技术节点下“技术瓶颈”问题。发展新型存储技术，以克服当前半导体存储技术面临的限制，适应高容量、低功耗以及快速存取等应用需求具有重要的研发价值。近年来，以相变材料为存储介质的相变存储器(phase-change memory, PCM)正受到高度关注。与半导体存储器相比，PCM属于电阻型存储器，具有一些明显的优势，如制造成本低...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。