技术编号:8734163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,单IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)电磁谐振电路一般采用并联谐振方式,其采用运行在实现大功率前提下的谐振参数时,如果在连续低功率段运行,则会出现以下问题(I) IGBT超前开通,开通瞬间IGBT瞬态电流峰值高,容易超过IGBT电流峰值规格限制,从而损坏IGBT ;(2) IGBT发热严重,需要加强对IGBT散热(如增大散热片、增加风机转速等)以实现IGBT的温升要求。实用新型内容本实用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。