技术编号:8768593
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体工业中,通常使用化学气相沉积工艺进行沉积各薄膜层,其沉积过程所使用MO源封装于密封容器内,在密封容器顶部设置进气管与出气管,而运载气体通过管路、各控制阀件、流量控制器、进气口进入容器内,再从出气口、管路、各控制阀件、流量控制器将源体输送至沉积腔室内进行沉积反应。故而,当密封容器内源体减少至一定值后则需对该源体进行更换,更换过程中必须先使用4或1气体对管路进行冲抽。图1示出了现有技术中更换MO源时的气体冲抽管路系统,管路系统中进气管路与出气管路中气体...
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