技术编号:8769077
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。商用电磁炉电控板上的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)和绝缘栅双极型晶体管是由BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点电磁炉在工作时,IGBT本身也要消耗功率,其消耗功率主要包括通态损耗和开关损耗,其结果就是使IGBT的外表基板温度和内部的工作结温迅速上升,但是IGBT有一定的极限工作温度,当基本...
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