技术编号:87707
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种闪存器件。更具体地,本发明涉及一种NOR型闪存单元阵列结构及其制造方法。 背景技术闪存是一种能够电重写数据的PROM(可编程ROM)。闪存通过结合可擦除PROM(EPROM)和电可擦除PROM(EEPROM)的优点,能够利用一个晶体管来执行EPROM的程序输入模式和EEPROM的擦除模式;在上述EPROM中,一个存储单元包括一个晶体管,因此单元面积小,但是数据每次必须以紫外线来擦除;而在上述EEPROM中,数据可被电擦除,但是一个存储单元包括两个晶体管,因此单元面积变大。闪存的正确名称是闪速(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。