技术编号:8786180
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 对采用深亚微米技术实现的集成电路进行验证测试时,集成电路片上系统内部的 芯核在测试过程中存在高功耗和高密度的影响,导致片上系统内的芯核产生高温,芯核温 度过高会导致芯核产生热斑或者损坏。因此,在测试过程中应该尽量避免高温对片上系统 芯核的影响。如果在测试过程中片上系统内的芯核出现高温,必须在测试过程中进行处理, 降低片上系统内的芯核温度。 传统的温度测试方法是采用热电阻二极管接到芯核的边缘进行温度采样,由于测 试点单一、误差较大,所以测量的温度不准确;再...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。