技术编号：8807302
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。石英材料具有良好的物理及化学稳定性，普遍应用于半导体制造与加工行业中各种耐高温、耐腐蚀器具的制造。高温退火是半导体芯片经离子注入工艺后消除注入损伤并电学激活杂质的重要工艺步骤，特别是对于As掺杂p-on-n型HgCdTe红外焦平面探测器件，无论是采用离子注入工艺，还是基于原位掺杂技术，所获得的As掺杂层都必须经过Hg饱和蒸汽压下的高温退火激活才能转变为P型。As离子激活退火温度一般为200?400°C，并在高压Hg蒸汽中进行。这就要求承载芯片的舟体采用耐高...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。