技术编号:8807336
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。B⑶是一种单片集成工艺技术,这种技术能够在同一芯片上制作双极型晶体管(Bipolar Junct1n Transistor) ,CMOS和DMOS器件,具有双极型器件高跨导、强负载驱动能力和 CMOS 集成度高、低功耗的优点。CMOS (Complementary MetalOxide Semiconductor)是一种互补金属氧化物半导体,它有两种彼此互补的PMOS与NMOS组成。现有的B⑶工艺中低压CMOS器件不能耐高压,只能连接0-5V的电压,其原因...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。