技术编号:88110
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种半导体器件,具体地说,是针对因辐射作用造成的半导体器件特性退化问题,作了改进的抗辐射半导体器件。 近些年来,由于集成电路技术的发展,半导体器件以微处理机的形式,已显著地扩大应用到办公室自动化或工业电子设备,机器人等方面。 大部分普通半导体集成电路只能在与规定的范围相似的环境条件下正常工作。在有些环境中,诸如在外层空间,那里是超高真空,充满宇宙辐射,或者例如处于原子反应堆周围存在着辐射源的恶劣环境中,半导体器件无法使用。 但是,在构成今后工业的空间技术方面,以及对用于检验原子反应堆工作的...
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