技术编号:8860504
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在微微机电系统制造(MEMS)过程中,氮化硅薄膜(SiNx)被广泛用作器件表面钝化保护膜、微器件结构悬臂梁及半导体器件的封装等。低压化学气相沉积(LPCVD)因设备价格低廉、沉积薄膜质量好被广泛应用于中小企业,但米用LPCVD制备SiNx最大的冋题是膜内残余应力较大,从而使所制作的MEMS器件性能下降,甚至所沉积的薄膜与收集板的脱离,导致器件的制作失败。目前制备低应力薄膜主要采用的方法有优化沉积工艺参数和采用后处理退火。优化工艺参数可以制备出低应力薄膜,但...
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