技术编号：8897674
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。传感器技术是现代科学技术发展水平的重要标志，其中压力传感器是应用最为广泛的一类。随着对宽禁带半导体的研宄深入，发现宽禁带半导体GaN(禁带宽度3.4eV)传感器可以不用冷却在高温下探测化学、气体、生物、辐射以及发送信号给中央控制器。AlGaN/GaN HEMT已经被证明具有高频、耐高压、耐高温和抗辐射特性，是高功率及电力电子器件最具潜力的器件，也是可以工作在恶劣条件下最具潜力的压力传感器。目前AIGaN/GaN HEMT中最先进的生长技术是MOCVE和MB...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。