技术编号：8905329
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着集成电路技术的不断发展，器件尺寸不断减小，传统的M0S阳T面临着短沟道 效应等一系列问题，因此研究新的器件结构就显得十分重要。S栅FinFET则是一种比较理 想的器件结构，栅极控制能力强，能抑制短沟道效应，优化亚阔值摆幅，从而有更低的功耗。 对于该种新型结构的器件，在被实际应用之前，必须能够快速、准确提取它的关键参数，如 沟道电势、亚阔值摆幅等，使之用于电路分析和电路仿真中，对电路功能验证、设计优化起 到不可或缺的作用。 亚阔值摆幅SS是M0SFET...
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