技术编号:8906678
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本发明得到国家自然科学基金一青年基金项目资助(项目编号51302187)。得到天津市应用基础与前沿技术研宄计划重点项目资助(项目编号14JCZDJC32100)。本发明属于纳米材料的制备与应用,涉及利用等离子体增强化学气相沉积法以硅纳米线为基制备一种具有独特结构的复合纳米材料,并将之用于场电子发射器件的制备方法。背景技术硅纳米线作为一种半导体一维纳米材料,具有较大的长径比,在新一代真空管、X射线管、场致发射平板显示等场电子发射领域具有一定的应用前景...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。