技术编号:8906699
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域,尤其是涉及应用于SiC (碳化硅)器件的离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法。背景技术作为第三代半导体材料,SiC具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速率高、热导率高、化学性质稳定等特点,使SiC基功率器件在高压、高温、高频、大功率、强辐射等方面都有极大的应用前景。由于杂质在SiC材料中的扩散能力弱,离子注入是唯一能够在SiC材料中形成选区掺杂的工艺方法。直接在SiC材料表面进行离子注入的浓度分布如附图1所示,掺杂浓度不是完全...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。