技术编号:8906795
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路的内部元件的积集度(integrat1n)不断地提升,相邻元件间的间由于距离缩短,彼此电子干扰的可能性因而提高,为此,必须有适当的隔离结构,以避免元件之间的互相干扰。一般而言,特别是针对高压元件而言,为了隔绝位于低浓度深阱区或是低浓度多晶硅层中的高压元件,必须使用深沟槽(de印trench)来达到所需要的隔绝程度。通常将深度在3μπι以上的沟槽称为深沟槽,深沟槽结构在现今的半导体技术中得到较为广泛的应用,深沟槽隔离结构主要用于高功率的集成BCD...
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