技术编号：8906840
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。众所周知，传统的正装结构LED芯片由于蓝宝石衬底不导电、导热率差的制约性，存在电流分布不均匀、散热性差等先天缺陷。为了克服正装结构LED芯片的这些不足，业内都在积极开发垂直结构LED(以下简称V-LED)。V-LED采用高导电率、散热良好的Si或者金属衬底，从而衬底导热良好，PN结散热问题得到解决，大尺寸功率型芯片得以实现。V-LED作为发光半导体器件的研宄热点，经过多年的开发，目前比较成熟的制备技术为衬底转移技术先使用金属共融晶技术将蓝宝石衬底的外延片与...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。