一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法技术资料下载

技术编号:8906864

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本发明涉及半导体纳米材料与器件领域,特别是。背景技术随着科技的发展和社会的进步,人们对于信息存储、传递及其处理的依赖程度日益增加。而半导体器件和工艺技术作为信息的存储、传递及其处理的主要载体和物质基础,现已成为众多科学家争相研宄的热点。薄膜晶体管,作为一种非常重要的半导体器件,在信息存储、传递和处理等领域起着至关重要的作用。然而,截至目前为止,现有大规模使用薄膜晶体管,是一种基于微电子硅工艺的半导体器件。这种传统的基于硅微电子工艺薄膜场效应晶体管存在对设备...
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