技术编号:8909312
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及用于液晶显示器或有机EL显示器等显示装置的薄膜晶体管(Thin Film Transistor、TFT)及其制造方法。 技术背景 非晶(非晶质)氧化物半导体与通用的非晶硅(a-Si)相比,具有高载流子迀移度 (也称为场效应迀移率。以下,有时仅称为"迀移率"。),光学带隙大,能够以低温成膜。因 此,期待其面向要求大型、高分辨率、高速驱动的新一代显示器、耐热性低的树脂基板等的 应用。作为所述氧化物半导体,由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(0...
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