技术编号:8915224
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。二氧化锡,作为一种宽带隙的η型半导体,由于其化学稳定性好,耐腐蚀性强,对气体吸附脱附时间短且灵敏度高,在可见光范围内的吸收率几乎为零等优点,被广泛应用于气敏材料、电池、导波光学、晶体管、光学传感器等领域。现有技术中,二氧化锡纳米颗粒的制备方法主要有水热法和液相沉积法等。如2008年,Wu等人利用氨基酸辅助水热法制备出尺寸小于1nm的二氧化锡纳米晶(Wu,S.,Caoj H.,Yin,S.,LiujX.,&Zhang,X.2009.The Journ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。