技术编号:8921131
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。GaN基II1- V半导体材料具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强和高热导率等优越性能,特别是AlGaN/GaN低维异质结构界面导带很大的能带偏移和AlGaN层极强的压电和自发极化效应,可以提供比AlGaAs/GaAs异质结构高出近一个数量级的二维电子气(2DEG)密度,加上GaN基材料高的击穿电场,使的GaN基器件的功率密度理论上比GaAs基器件高10倍以上,因此,GaN基宽禁带半导体,特别是AlGaN/GaN异质结构...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。