技术编号:8923607
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。薄膜的外延生长对许多现代技术而言非常重要。通过外延生长形成并具有择优结晶取向的薄膜对微电子器件、半导体电子、光电子、太阳能电池、传感器、存储器、电容器、探测器、记录介质等特别有用。因此,存在对于具有择优结晶取向的改善的外延膜以及制备其的方法的持续需求。发明内容根据一个实施例,一种结构包括衬底;位于衬底上方的外延种子层,外延种子层包括多个成核区(nucleat1n reg1n)和多个非成核区;以及位于外延种子层上方的晶体层,其中外延种子层具有基本上沿着垂直于...
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